安森美。onsemi)的UG4SC075005L8S在。AI。PSU规划中十分受欢迎,有助于完成下一代20 kW体系,以立异的Combo架构、高能效、高可靠性及体系友好性,处理了AI范畴大电流、高功率
安森美 。安森(onsemi)的技术UG4SC075005L8S在。AI。优势PSU规划中十分受欢迎 ,安森有助于完成下一代20 kW体系,技术以立异的优势Combo架构、高能效 、安森高可靠性及体系友好性 ,技术处理了AI范畴大电流、优势高功率场景的安森核心痛点 ,为 。技术人工智能。优势硬件的安森高效运转与规模化扩展供给了关键技能支撑,具有明显的技术职业改造价值 。
SiC Combo JFET UG4SC075005L8S。优势
技能优势 。
Combo JFET的规划旨在让用户可以别离独立操控。MOSFET。和SiC JFET的栅极。
超低导通电阻Rds(on) :选用SiC JFET技能,UG4SC075005L8S的导通电阻低至5mOhm,明显下降导通损耗 ,提高能效。
更高的峰值。电流 。(IDM) :峰值电流关于电路维护运用至关重要,而高IDM的UG4SC075005L8S正是完成这一意图的抱负挑选 。电路维护运用因其特定的工作条件而要求稳健性和大电流穿越才能。
低热阻RθJC:安森美的UG4SC075005L8S选用银烧结裸片贴装技能 ,与大多数焊接资料比较 ,界面导热功能提高了六倍,从而在更小的裸片尺度下完成相同乃至更低的结至外壳热阻RθJC。低RθJC有助于坚持较低的结温 ,并保证更高的可靠性。
速度可控性:电路维护和多路并联运用的抱负挑选。经过下降关断速度来削减电压过冲