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8S的技术安森美Si优势

安森美。onsemi)的UG4SC075005L8S在。AI。PSU规划中十分受欢迎,有助于完成下一代20 kW体系,以立异的Combo架构、高能效、高可靠性及体系友好性,处理了AI范畴大电流、高功率

安森美 。安森(onsemi)的技术UG4SC075005L8S在。AI。优势PSU规划中十分受欢迎 ,安森有助于完成下一代20 kW体系,技术以立异的优势Combo架构、高能效 、安森高可靠性及体系友好性 ,技术处理了AI范畴大电流 、优势高功率场景的安森核心痛点 ,为 。技术人工智能 。优势硬件的安森高效运转与规模化扩展供给了关键技能支撑,具有明显的技术职业改造价值 。

SiC Combo JFET UG4SC075005L8S。优势

技能优势 。

Combo JFET的规划旨在让用户可以别离独立操控 。MOSFET。和SiC JFET的栅极。

超低导通电阻Rds(on) :选用SiC JFET技能,UG4SC075005L8S的导通电阻低至5mOhm,明显下降导通损耗 ,提高能效。

更高的峰值。电流  。(IDM) :峰值电流关于电路维护运用至关重要,而高IDM的UG4SC075005L8S正是完成这一意图的抱负挑选 。电路维护运用因其特定的工作条件而要求稳健性和大电流穿越才能。

低热阻RθJC:安森美的UG4SC075005L8S选用银烧结裸片贴装技能 ,与大多数焊接资料比较 ,界面导热功能提高了六倍 ,从而在更小的裸片尺度下完成相同乃至更低的结至外壳热阻RθJC。低RθJC有助于坚持较低的结温 ,并保证更高的可靠性。

速度可控性:电路维护和多路并联运用的抱负挑选。经过下降关断速度来削减电压过冲,可加强电路维护 ,尤其是短路维护 。易于并联 ,超卓地平衡了开关损耗和动态电流平衡之间的功能 。

结构简略 ,运用寿命长,无参数漂移。

栅极驱动。兼容性:支撑运用老练的硅基晶体管 。驱动器。,无需专用 。驱动电路。,简化体系规划 ,加速开发速度。

安森美的UG4SC075005L8S凭仗立异架构与杰出功能,打破AI PSU规划瓶颈。现在 ,它正比赛维科杯·OFweek 2025人工智能职业优异立异力产品奖 ,诚邀您投出名贵一票 ,让这份立异力气被更多人看见。

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