来历：英飞凌。英飞官微。凌新

750V 碳化硅。代V点MOSFET。品亮——750V CoolSiC MOSFET车规级和工业级产品
，英飞导通电阻规模7mΩ至140mΩ。凌新

英飞凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器材具有业界抢先的代V点抗寄生导通才能和成熟的栅极氧化层技能  ，可在To  。品亮te。英飞m Pole、凌新ANPC 、代V点Vienna整流器和FCC等硬开关拓扑中完成杰出功能 。品亮

此外，英飞第二代产品大幅下降输出 。凌新电容。代V点(Coss)，使其可以在Cycloconverter、CLLC、DAB和LLC等软开关拓扑中以更高开关频率运转。

该产品完美适用于对可靠性
、功率密度和功率有严格要求的使用，包含车载充电器、。DC 。-DC。转换器。、DC-。AC 。转换器，以及。AI 。服务器 、太阳能 。逆变器。和电动汽车充电设备。选用Q-DPAK封装可充分发挥SiC技能固有的快速开关速度，一起保证约20W的功率耗散才能。

产品亮点。

CoolSiC MOSFET 750 V 。

稳健的750 V技能，经过测验的100%抗雪崩才能。

鹤立鸡群的RDS(on)x Qfr
。

超卓的 RDS(on)x Qoss及 RDS(on)x QG 。

低C 。rs 。s/Ciss和高VGS(th)的共同组合 。

英飞凌专有裸片接合技能。

供给驱动源引脚
。

要害特性。

插件和贴片封装。

集成开尔文源极 。

车规级器材契合AEC-Q101
。认证。规范 ，工业级器材经过JEDEC认证。

高度细分的产品组合
：导通电阻规模8mΩ至140mΩ ，支撑多种封装标准 。

Q-DPAK顶部散热封装。

顶部散热（TSC）器材是外表贴装功率器材 ，焊接在印刷电路板（。PCB
。）上
。半导体 。芯片发生的热量经过封装顶部传导至衔接的散热器 。TSC功率封装是改进热功能和。电气。功能的解决方案 。这类封装还有助于进步功率密度并下降制作难度。

车规级MOSFET。

“。Ti。ny Power Box”项目由英飞凌与奥地利硅实验室（Silicon Austria Labs）联合开发 ，选用全英飞凌CoolSiC 解决方案 ，打造了一款紧凑型单相7千瓦车载充电器 。