度亘核芯根据自主开发的全球抢先高功率 、高功率 、度亘单模高牢靠性的核芯单模808nm。半导体。半导激光芯片 ，体泵填补推出世界抢先的浦源高性能蝶形光纤耦合模块 。 ，国内率先在国内完成产业化打破 ，空白填补了国内空白。全球抢先
使用布景 。度亘单模
单模高性能808nm泵浦光，核芯为紧凑型光纤激光器供给牢靠中心动力 。半导作为掺钕增益介质（如Nd:YAG 、体泵填补Nd:YVO₄）的浦源首选泵浦波长，808nm单模泵浦源在飞秒激光振荡器、国内双光子激起显微成像等前沿研讨范畴使用广泛。别的，因其极佳的频率稳定性和低噪声特性 ，广泛使用于深空勘探中的干涉仪 、超 。高精度 。激光测距等很多顶级科学研讨范畴。
单模808nm泵浦源凭仗其杰出的光束质量与体系牢靠性保证 ，已成为高端激光体系的中心组件 。度亘核芯在单模激光芯片与模块范畴深耕细研，推出系列高功率、高牢靠的单模产品 ，为前沿科学研讨 、光 。通讯 。、工业加工及 。智能 。感知体系等供给中心泵浦动力 。
立异成果与打破 。
单模高功率808nm半导体激光芯片和光纤耦合模块 。
•。 | 高功率输出 ：经过精细化的外延结构规划与低应力工艺制备 ，完成了芯片输出功率最高打破 。1200mW 。 ，耦合 。模块输出功率最高超越 。600mW。； |
• 。 | 高功率 ：芯片最高电光转化功率到达 。55% 。 ，在700mW作业条件下 ，电光转化功率仍然保持在。53% 。；模块400mW作业条件下 ，电光转化功率 。超越34%。； |
• 。 | 高牢靠性 ：针对808nm单模激光芯片功率阑珊这一痛点问题 ，选用打破性的芯片与器材结构规划以及工艺优化 ，大幅改进了功率阑珊现象 ，在700mW的作业条件下 ，保证了芯片的牢靠作业。 |
图1 单模808nm高功率芯片的L-I-V-E特性曲线 。
图2 光纤耦合模块特性曲线 。
图3 不同 。电流。对应光谱图。
产品规格 。
关于度亘 。
度亘核芯以高端激光芯片的规划与制作为中心竞争力，聚集 。光电 。产业链上游 ，具有掩盖化合物半导体激光器芯片规划、外延成长 、器材工艺 、。芯片封装 。 、测验表征、牢靠性验证以及功能模块等全套工程技术才能和量产制作才能，专心于高性能 、高功率 、高牢靠性光电芯片及器材的规划 、研制和制作 ，产品广泛使用于工业加工 、智能感知 、光通讯 、医疗健康和科学研讨等范畴 ，努力打造具有世界职业位置的产品研制 。中心。和出产制作商 。